【48812】硅太阳能电池制造工艺流程图doc

  硅太阳能电池制造工艺流程图.doc:..硅太阳能电池制造工艺流程图1、 硅片切开,资料预备:工业制造硅电池所用的单晶硅资料,一般都会选用堆锅直拉法制的太阳级单晶硅棒,原始的形状为圆柱形,然后切开成方形硅片(或多晶方形硅片),硅片的边长一般为10~15cm,厚度约200~350um,(掺硼)。2、 去除损害层:硅片在切开进程会发生很多的外表缺点,这就会发生两个问题,首要外表的质量较差,别的这些外表缺点会在电池制造的完好进程中导致碎片增多。因而要将切开损害层去除,一般都会选用碱或酸腐蚀,腐蚀的厚度约lOumo3、 制绒:制绒,便是把相对润滑的原资料硅片的外表经过酸或碱腐蚀,使其凸凹不平,变得粗糙,构成漫反射,削减直射到硅片外表的太阳能的丢失。关于单晶硅来说一般都会选用NaOH加醇的办法腐蚀,运用单晶硅的各向异性腐蚀,在标明发生很多的金字塔结构,碱液的温度约80度,浓度约1-2%,腐蚀时刻约15分钟。关于多晶来说,一般都会选用酸法腐蚀。4、 分散制结:分散的口的在于构成PN结。遍及选用磷做n型掺杂。因为固态分散需耍很高的温度,因而在分散前硅片外表的洁净很重要,要求硅片在制绒后要进行整理洗刷,即用酸来中和硅片表而的碱残留和金属杂质。5、 边际刻蚀、清洗:分散进程中,在硅片的周边外表也构成了分散层。周边分散层使电池的上下电极构成短路环,有必要将它除掉。周边上存在任何细小的部分短路都会使电池并联电阻下降,以致成为废品。现在,工业化出产用等离子干法腐蚀,在辉光放电条件下经过***和氧替换对硅效果,去除含有分散层的周边。分散后清洗的意图是去除分散进程屮构成的磷硅玻璃。6、 堆积减反射层:堆积减反射层的口的在于削减外表反射,添加折射率。遍及的运用PECVD淀积SiN,因为PECVD淀积SiN时,不光是成长SiN作为减反射膜,同