单晶硅光伏电池是开发较早、转化率最高和产值较大的一种光伏电池。单晶硅光伏电池转化功率在我国现已均匀到达19%,而实验室记载的最高转化功率超过了24.7%。这种光伏电池一般以高纯的单晶硅硅棒为质料,纯度要求99.9999%。
多晶硅光伏电池是以多晶硅资料为基体的光伏电池。因为多晶硅资料多以浇铸替代了单晶硅的拉制进程,因此出产时刻缩短,制作本钱大幅度下降。再加之单晶硅硅棒呈圆柱状,用此制作的光伏电池也是圆片,因此组成光伏组件后平面使用率较低。与单晶硅光伏电池比较,多晶硅光伏电池就显得具有必定竞赛优势。
非晶硅光伏电池是用非晶态硅为质料制成的一种新式薄膜电池。非晶态硅是一种不定形晶体结构的半导体。用它制作的光伏电池只要1微米厚度,相当于单晶硅光伏电池的1/300。它的工艺制作的完好进程与单晶硅和多晶硅比较大大简化, 硅资料耗费少, 单位电耗也下降了许多。
铜铟硒光伏电池是以铜、铟、硒三元化合物半导体为根本资料,在玻璃或其它廉价衬底上堆积制成的半导体薄膜。因为铜铟硒电池光吸收性能好,所以膜厚只要单晶硅光伏电池的大约l/100。
砷化镓光伏电池是一种Ⅲ-V族化合物半导体光伏电池。与硅光伏电池比较,砷化镓光伏电池光电转化功率高,硅光伏电池理论功率为23% ,而单结砷化镓光伏电池的转化功率已到达27%;可制成薄膜和超薄型太阳电池,相同吸收95%的太阳光, 砷化镓光伏电池只需5-10μm的厚度,而硅光伏电池则需大于150μm。
碲化镉是一种化合物半导体,其带隙最适合于光电能量转化。用这种半导体做成的光伏电池有很高的理论转化功率, 已实践取得的最高转化功率到达16.5%。碲化镉光伏电池一般在玻璃衬底上制作,玻璃上第一层为通明电极,这以后的薄层分别为硫化镉、碲化镉和背电极,其背电极可所以碳桨料,也可所以金属薄层。碲化镉的堆积技能办法许多,如电化学堆积法、近空间提高法、近距离蒸气转运法、物理气相堆积法、丝网印刷法和喷涂法等。碲化镉层的厚度一般为1.5-3um,而碲化镉关于光的吸收有1.5um的厚度也就足够了。
聚合物光伏电池是使用不一样氧化复原型聚合物的不同氧化复原电势, 在导电资料标明上进行多层复合, 制成相似无机P-N结的单向导电设备。